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算力、記憶體、光通訊三線共振！先進封裝五大環節誰最受惠？

AI硬體產業鏈正在出現一個愈來愈清晰的變化：算力、記憶體與光通訊三條主線，最終都在先進封裝環節匯合。

當GPU、AI ASIC與HBM不斷升級，晶片性能已不能只依靠製程微縮。如何把更多運算晶粒、記憶體與光學元件整合在同一個封裝內，開始直接決定AI系統的頻寬、功耗、延遲與成本。

這意味著，封裝不再只是晶片生產的最後一道工序，而正在成為後摩爾時代提升系統性能的核心技術。

為什麼「算、存、光」都利好先進封裝？

第一條主線：算力——Chiplet推動CoWoS需求爆發

AI晶片的晶體管數量與I/O接口快速增加，但單顆晶片尺寸受到光罩極限、良率與功耗限制，英偉達、AMD及大型雲服務商開始大量採用Chiplet架構。

Chiplet將大型晶片拆分成多顆運算晶粒，再通過CoWoS、SoIC或EMIB等技術重新整合。相比傳統封裝，這類方案需要更多RDL層、更精密的鍵合設備，以及更複雜的中介層、載板與測試工序。

目前，大部分搭載HBM的高階GPU與AI ASIC均需要先進封裝，CoWoS已成為AI算力擴張的重要產能瓶頸。

第二條主線：記憶體——HBM堆疊層數愈高，封裝難度愈大

HBM需要將多顆DRAM晶粒垂直堆疊，並通過TSV與GPU、ASIC整合在同一個封裝內。

隨著HBM由8層、12層向16層甚至20層發展，晶圓必須進一步減薄，對貼片精度、翹曲控制、散熱及良率的要求明顯提高，帶動熱壓鍵合、混合鍵合、晶圓減薄、切割及檢測設備升級。

未來HBF若逐步商業化，同樣需要將多層NAND垂直堆疊，並通過中介層與GPU連接。換言之，無論是HBM還是HBF，記憶體向3D化發展，都會增加先進封裝的工序與價值量。

第三條主線：光通訊——CPO把光學元件帶入封裝層

當AI集群規模擴大，傳統銅互連與可插拔光模塊開始面臨功耗、延遲及頻寬瓶頸，CPO共封裝光學逐步成為下一代

資料中心網絡的重要方向。

以台積電COUPE平台為例，電子晶片EIC與光子晶片PIC可通過SoIC技術進行高密度堆疊，未來更可將交換晶片、光引擎與HBM整合在同一個CoWoS封裝內。

這意味著，光電轉換環節正在由交換機面板進一步下沉至封裝層。CPO愈普及，對混合鍵合、矽光子封裝、精密對準及光電測試設備的需求就愈高。

先進封裝的市場TAM有多大？

根據中信建投數據，全球先進封裝市場規模已由2019年的252.9億美元增長至2024年的407.6億美元，預計2029年進一步達到674.4億美元，2024至2029年複合增長率約10.6%。

相比之下，傳統封裝同期增速只有約2.1%。預計到2029年，先進封裝佔全球封測市場的比重將由目前約四成提升至50%。

其中，真正高增長的方向是2.5D／3D封裝：

– 2024年市場規模：81.8億美元；

– 2029年預計達到：258.2億美元；

– 2024至2029年複合增長率：25.8%。

因此，先進封裝不只是千億美元封測市場內部的結構升級，2.5D／3D、HBM及CPO相關封裝更是其中增長最快、價值量最高的細分賽道。

哪些產業鏈公司值得關注？

沿著先進封裝的生產流程，可以分為五個主要環節。

一、先進封裝製造：受益確定性最高

這一環節直接承接GPU、AI ASIC、HBM與CPO的封裝需求。台積電是全球CoWoS與SoIC的核心供應商；日月光、Amkor則有望承接後段工序與台積電外溢訂單。英特爾和三星電子分別擁有EMIB、Foveros及自有HBM封裝技術。

值得關注的公司包括：

核心代工： $台積電 (TSM.US)$ ；

核心OSAT（外包半導體封裝測試）： $日月光半導體 (ASX.US)$ 、 $艾馬克技術 (AMKR.US)$ ；

IDM自建封裝： $英特爾 (INTC.US)$ 、 $三星電子 (005930.KR)$ ；

韓國OSAT： $Hana Micron (067310.KR)$ 、 $Nepes (033640.KR)$ 、 $Unisem (036200.KR)$ ；

HBM相關： $SK海力士 (SKHY.US)$ 、 $美光科技 (MU.US)$ 。

其中，台積電的確定性最高；日月光與艾馬克則更具封裝產能外溢彈性。

二、先進封裝設備：擴產週期中的「賣鏟人」

CoWoS、SoIC、HBM與CoPoS擴產，將拉動鍵合、切割、減薄、沉積、清洗、曝光及量測設備需求。

代表企業包括： $ASMPT (00522.HK)$ 、 $科磊 (KLAC.US)$ 、 $應用材料 (AMAT.US)$ 、 $泛林集團 (LRCX.US)$ 、 $ACM Research (ACMR.US)$ 、 $Onto Innovation (ONTO.US)$ 、 $庫力索法半導體 (KLIC.US)$ 、 $Nordson (NDSN.US)$ 、 $Tokyo Electron (8035.JP)$ 、 $Disco (6146.JP)$ 、 $TOWA (6315.JP)$ 、 $斯庫林集團 (7735.JP)$ 、 $佳能 (7751.JP)$ 、 $荏原製作所 (6361.JP)$ 、 $韓美半導體 (042700.KR)$ 。

其中，混合鍵合、熱壓鍵合、晶圓減薄切割及量測設備的價值量提升最明顯。設備企業通常不需要押注單一AI晶片客戶，受益範圍相對更廣。

三、IC載板與中介層：需求增長，但技術路線分化

AI晶片封裝面積擴大、RDL層數增加，將提高高階載板與中介層的需求。相關公司包括 $三星電機 (009150.KR)$ 、 $揖斐電電子 (4062.JP)$ 、 $京瓷 (6971.JP)$ 、 $大日本印刷 (7912.JP)$ 、 $凸版印刷 (7911.JP)$ 、 $Daeduck Electronics (353200.KR)$ 、 $LG Innotek (011070.KR)$ 及 $SKC (011790.KR)$ 。

不過，這一環節需要留意技術替代。CoWoP嘗試以PCB類載板取代部分傳統ABF載板，而CoPoS及玻璃中介層也可能改變現有供應格局。

因此，更值得關注的是能夠切入高階ABF載板、面板級封裝、玻璃基板及下一代RDL技術的廠商。

四、封裝材料：工序增加帶動單機用量提升

先進封裝需要使用更多高純度、低介電、耐高溫及低熱膨脹材料。

代表企業包括 $杜邦 (DD.US)$ 、 $Element Solutions (ESI.US)$ 、 $英特格 (ENTG.US)$ 、 $味之素 (2802.JP)$ 、 $Resonac控股 (4004.JP)$ 、 $住友電木 (4203.JP)$ 、 $信越化學工業 (4063.JP)$ 、 $三菱瓦斯化學 (4182.JP)$ 、 $東京應化工業 (4186.JP)$ 、 $住友化學 (4005.JP)$ 及 $東麗工業 (3402.JP)$ 。

從ABF膜、光刻膠、封裝樹脂到電鍍液、臨時鍵合膠與散熱材料，每增加一層RDL或一道鍵合工序，都可能帶動材料用量與規格同步提升。

五、檢測與測試：容易被低估的受益環節

先進封裝整合的晶粒愈多，對良率的要求就愈高。如果GPU、I/O Die或任何一顆HBM出現問題，整個高價值封裝都可能報廢。因此，先進封裝需要增加已知良品晶粒測試、封裝前後檢測、老化測試及光電測試。

代表企業包括 $泰瑞達 (TER.US)$ 、 $科休半導體 (COHU.US)$ 、 $FormFactor (FORM.US)$ 、 $康特科技 (CAMT.US)$ 、 $愛德萬測試 (6857.JP)$ 、 $Lasertec半導體 (6920.JP)$ 、 $Leeno Industrial (058470.KR)$ 、 $ISC Co (095340.KR)$ 及 $Techwing (089030.KR)$ 。

這一環節可同時受益於晶片出貨增加、測試節點增多、測試時間延長及設備規格升級，是先進封裝產業鏈中容易被忽視的方向。

總結

總結而言，AI硬體升級正從單純追求製程微縮，轉向「系統級整合」。算力需要Chiplet與CoWoS，記憶體走向HBM／HBF多層堆疊，光通訊則透過CPO進入封裝層，「算、存、光」三條主線最終共同推高先進封裝的技術門檻與單機價值量。

未來產業鏈的核心機會，將逐步由單純的「產能擴張」，轉向誰能突破良率、散熱、翹曲控制與高密度互連等關鍵瓶頸。換言之，先進封裝已不再只是AI晶片的配套環節，而是決定下一代AI系統能否持續升級的核心基礎設施。

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