國產AI大模型定價權凸顯，產業鏈迎來重估？
騰思·打新分析丨長鑫科技即將開啓申購？！港股有没有機會？
其底層資產的稀缺性、業績爆發的確定性、以及產業鏈傳導的系統性機會，構成了一個市場無法忽視的三重共振結構——這不是一個週期性的交易機會，而是一個結構性的時代紅利窗口。
從底層資產穿透來看，長鑫科技是中國境內唯一實現DRAM規模化量產的IDM企業，在全球DRAM產業格局中徹底打破了 $三星電子 (005930.KR)$ 、 $SK海力士 (SKHY.US)$ 與 $美光科技 (MU.US)$ 三家海外寡頭長期壟斷的局面。
這種「唯一性」在A股市場上意味着極致的賽道稀缺溢價：
——當整個市場都在追逐AI算力主線時，存儲芯片作為算力基礎設施中最底層、最不可或缺的硬件環節，其國產替代邏輯與全球超級週期的價格暴漲形成雙重推力，而長鑫科技恰好站在這兩條主線的交匯點上。
讀前須知：以下數據均來源於長鑫科技招股書，經由高騰國際資產管理有限公司整理，並未經證監會審核。
數據來源：公司官網、高騰國際資產管理有限公司
從日均虧損到日均賺近3億
讓市場真正血脈賁張的是長鑫科技財務數據中那條幾乎垂直向上的V型反轉曲線：
——2023年扣非歸母淨利潤為-167.52億元，2024年收窄至-78.70億元，2025年一舉扭虧為盈，實現扣非歸母淨利潤53.16億元，而2026年第一季度單季扣非歸母淨利潤高達263.41億元，日均賺取利潤接近3億元人民幣。
這種從地獄到天堂的轉變速度在半導體行業歷史上極為罕見，更重要的是，公司2026年上半年業績預告顯示歸母淨利潤預計為500億元至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%，扣非歸母淨利潤預計為520億元至580億元，同比增長2278.89%至2530.30%。
——這不是增長，這是「核爆」。
從主題投資與趨勢跟蹤的角度，市場最看重的是業績爆發的可持續性與驅動因素的結構性，而非單純的週期性反彈，長鑫科技的業績爆發背後站着三個無法逆轉的結構性力量：
第一，全球DRAM行業正經歷史無前例的「超級週期」，三大原廠將30%以上總產能、70%以上的先進晶圓資源轉向高利潤率的HBM生產，主動壓縮了傳統DRAM與NAND通用產能，直接打破了存儲行業過去數十年遵循的「漲價-擴產-過剩-跌價」傳統週期規律；
第二，2026年第一季度DRAM合約價環比暴漲90%至95%，第二季度預計再漲58%至63%，2025年第四季度至2026年第二季度DRAM累計漲幅超300%，當前價格處於行業歷史最高位；
第三，單台AI服務器DRAM用量是傳統服務器的8至10倍，全球九大雲廠商2026年合計AI基礎設施資本支出預估增加至約8300億美元，年增長率79%，AI服務器貢獻了超50%的DRAM總需求——這三股力量疊加，意味着長鑫科技的業績爆發不是曇花一現，而是至少延續至2027至2028年的結構性紅利。
從DDR4全面停產到DDR5暴力放量
2024年底以來，公司自有DDR4產品已全面停止生產，產能全面轉向DDR5和LPDDR5/5X等新一代DRAM產品。
這一決策的效果立竿見影——DDR系列收入從2024年的31.74億元跳升至2025年的195.31億元，一年內增長了5.15倍，佔比從13.26%拉升至31.87%，而DDR5產品毛利率高達41.89%，顯著高於LPDDR系列的37.25%，意味着公司不僅在收入規模上實現了跨越式增長，更在產品結構上完成了從低端向高端的質變。
更讓市場興奮的是，長鑫科技當前產品體系中HBM尚處於佈局階段、尚未貢獻收入，而HBM正是當前DRAM行業最高利潤率、最受AI算力驅動的高端存儲產品——SK海力士憑藉HBM紅利實現了60.41%的超高毛利率，而長鑫科技37.81%的毛利率雖已追平三星和美光，但在HBM賽道上仍處於從零到一的佈局階段。
公司本次IPO募集資金中有90億元將投入前瞻技術研發、重點佈局HBM等下一代存儲技術，HBM3產品預計2026年下半年實現量產——這意味着長鑫科技的毛利率天花板遠未到頂，HBM量產後的利潤釋放空間將是下一輪業績爆發的核心引擎。
市值從2950億到3萬億的想像空間
本次科創板IPO擬募資295億元，公開發行股份佔發行後總股本10%，倒推發行靜態估值約2950億元，對應預估發行價約4.41元/股，但市場對長鑫科技上市後市值的預期遠高於發行基準估值，機構一致預期中樞集中在1.5萬億至3萬億元人民幣區間：
——以2026年預期淨利潤1000億元為基準，保守情景給予10至12倍市盈率對應1.1萬億至1.32萬億元，中性情景給予18至22倍市盈率對應1.98萬億至2.42萬億元，樂觀情景給予25至30倍市盈率對應2.75萬億至3.3萬億元。
當前美光、SK海力士總市值維持在7.5萬億至8萬億元區間，長鑫現階段產能與全球市佔僅為海外龍頭的三分之一，但若未來3至5年公司市場份額提升至15%、HBM高端存儲產品大規模落地放量，長期合理市值有望衝擊4萬億至5萬億元區間。
這意味着從發行估值到長期合理估值之間存在10倍以上的升值空間，而由於戰略配售比例高達50%、網下大額股份長期鎖定，上市首日流通盤佔總股本比例極低，短期內極易催生情緒驅動的估值溢價
這種「基本面確定性+流通盤稀缺性+情緒溢價」的三重疊加，是市場願意重倉參與的核心邏輯。
港股產業鏈的系統性機會
讀前須知：以下為綫性推測，僅爲筆者的思考與分享，絕對不構成投資建議！！
長鑫科技IPO對市場而言不僅是一個A股申購機會，更是一個港股半導體板塊系統性重估的催化劑，其影響呈現「短期情緒催化—中期產業鏈傳導—長期估值體系重構」的三階段傳導路徑，而市場當前最關注的港股核心受益標的包括：
$兆易創新 (03986.HK)$ 作為與長鑫科技同為「合肥系」、由同一董事長朱一明掌舵的關聯公司，持有長鑫科技1.8%股份，2026年度關聯交易採購額預計達57.11億元人民幣，是長鑫科技IPO最直接的核心受益標的；
$瀾起科技 (06809.HK)$ 作為內存接口芯片龍頭，直接受益於DRAM需求爆發與DDR5滲透率提升，是產業鏈中彈性最大的受益標的之一；
從南向資金流向來看，長鑫科技IPO反而成為吸引南向資金加速流入港股半導體板塊的催化劑。
7月前五個交易日南向資金累計淨買入超377億港元，7月6日單日淨買入達205.28億港元，7月第二週南向資金淨流入突破450億港元，單週淨買入規模有望創年內新高。
外資層面自5月8日至今累計淨流入港股約750億港元，內外資共振搶籌港股硬科技的趨勢明確——這種資金面的系統性流入，為市場佈局港股半導體產業鏈提供了極佳的流動性環境。
風險對沖與倉位管理
第一，DRAM價格階段性觸頂風險——連續數個季度暴漲後價格已處於歷史最高位，若三季度漲幅低於市場預期可能觸發板塊情緒調整，市場將設置價格觸發止損線；
第二，行業週期反轉風險——三巨頭新增產能大致在2027至2030年集中釋放，一旦HBM供給顯著增加、供需關係可能逐步走向寬鬆，市場將在2027年中開始逐步減持週期性倉位；
第三，技術差距與高端產品量產風險——長鑫科技當前工藝微縮至17nm級別，與海外大廠仍有約兩代差距，HBM3產品量產良率與實際產能爬坡速度存在不確定性，市場將持續跟蹤公司季度產能利用率與良率數據作為減倉信號；
第四，地緣政治與出口管制風險——美國對華半導體出口管制的持續升級可能對公司技術升級與產能擴張構成實質性制約，這是市場無法對沖的系統性風險，只能通過倉位上限控制來管理。
寫在文末
長鑫科技科創板IPO是2026年中國資本市場最具戰略意義的硬科技上市事件，其影響力遠超單一公司層面，實質上標誌着中國國產存儲芯片產業從「技術追趕」階段正式邁入「資本化擴張」階段，對於市場這樣偏好主題投資與趨勢跟蹤策略的投資者而言，這是一個必須重倉參與的歷史性機會。
在長鑫科技正式掛牌上市前，港股半導體板塊的「預期交易」仍將主導短期走勢，市場將在回調時擇機佈局兆易創新、瀾起科技、中芯國際與華虹宏力等核心受益標的；
長鑫科技申購日前一天及當天（7月16日）需警惕資金分流效應可能引發的短期回調，反而需要尋找機會進行加倉；
長鑫科技正式掛牌後，市場將根據首日表現決定是否參與二級市場交易，並持續跟蹤DRAM價格走勢與HBM量產進程作為倉位調整的依據；
對於長線資金而言，長鑫科技產業鏈的資本開支擴張週期預計將延續3至5年，港股半導體設備與材料環節的中長期配置價值最為確定，市場將在這一賽道中維持核心倉位，並動態評估行業週期拐點的到來時點。
風險及免責聲明：以上內容僅代表作者個人觀點，不代表富途任何立場，亦不構成任何投資建議，富途對此不作任何保證與承諾。更多信息
評論
發表評論
4
3