KIS看空對決SemiAnalysis力挺：去杠桿下半場，美韓半導體風險釋放到哪了？

過去兩周，AI半導體經歷了一輪快速而猛烈的去杠桿。從美國市場的 $英偉達 (NVDA.US)$ 、 $博通 (AVGO.US)$ 、 $美光科技 (MU.US)$ ，到韓國市場的 $SK海力士 (SKHY.US)$ 、 $三星電子 (005930.KR)$ ，曾經最擁擠的AI硬件交易迎來了明顯降溫。截至發稿，KOSPI累計回撤逾24%，SOXX回撤逾13%。

這輪調整並非由單一利空觸發，而是多重壓力集中釋放：一方面，市場開始重新審視AI資本開支的可持續性；另一方面，前期AI硬件交易過度擁擠，估值和機構倉位均處於高位。

與此同時，部分半導體企業盈利預期開始出現分歧，市場開始擔心：AI硬件周期是否已經從高速成長階段，逐步進入盈利增速放緩階段？而當前最大的爭議，集中在AI存儲核心環節——SK海力士。

一場圍繞AI存儲周期的多空分歧正在形成

7月13日，韓國頭部機構相繼下調了SK海力士的盈利預期。KIS率先下調其2026和2027年盈利預測，今日未來資產證券也將其2026年二季度的營業利潤預期下調12%，并調降了DRAM和NAND的綜合均價預期。

作為全球HBM領域的核心供應商，SK海力士的任何盈利調整都被市場放大解讀。悲觀情緒的蔓延主要源于投資者的擔憂：隨著HBM產能逐步釋放，未來供需格局可能由緊轉松；疊加下游客戶議價能力提升，HBM的溢價空間將被壓縮，存儲行業似乎又要重返傳統的周期波動。這也被市場解讀為AI存儲超級周期即將見頂的信號，導致其股價近期顯著承壓。

但市場真正的分歧在于：是否錯將「盈利增速放緩」與「產業周期終結」劃上了等號？

就在悲觀預期升溫時，SemiAnalysis給出了截然不同的判斷。盡管市場雜音不斷且定價模型有所調整，他們依然維持對SK海力士2026年二季度DRAM業績的樂觀預期，預測DRAM營業利潤將高達約55萬億韓元。其核心支撐邏輯在于：通用型DRAM現貨價格環比大漲了約60%，而HBM產品的季度價格僅出現個位數的輕微波動，整體DRAM綜合均價環比漲幅依然高達45%。

這意味著，當前存儲市場並未出現需求崩塌，而更多是市場開始重新評估：HBM高速增長之後，盈利增速是否還能維持此前的爆發水平。換言之：市場擔心的是「增長斜率下降」，而不是「需求消失」。

海力士暴跌，更多是交易因素，而非基本面崩塌

如果拆解SK海力士近期的大跌，可以發現：并非AI內存基本面的需求惡化，這也是判斷本輪沖擊是否具備持續性的關鍵。

據Photon Capital分析，本周一的暴跌主要由三大交易與供給端因素共振引發：首先是資金獲利了結，其ADR在美上市首日大漲近13%后遭遇自然回吐；其次是高達265億美元的美股IPO帶來了新增股份的稀釋效應；最后是韓股與美股ADR之間的重新定價。此外，全球投資者對韓國與台灣AI硬件板塊的倉位再平衡，也進一步加劇了短期的拋壓。

因此，這輪調整更像是：高估值、高杠桿、高集中持倉背景下的一次風險重新定價。

半導體風險究竟釋放了多少？

那麼，問題來了：半導體板塊的風險究竟釋放了多少？答案是：基本面風險釋放有限，但資金風險仍未完全出清。

目前來看，企業盈利並沒有出現趨勢性惡化。三星電子、SK海力士此前業績甚至超出市場預期。因此，此輪拋售更像是：杠桿資金降低風險暴露，導致估值被動壓縮。市場真正需要等待的，不是企業盈利重新上修，而是：資金賣壓是否結束。

不過，市場資金流向正在出現微妙變化。7月14日，高盛數據顯示，上周，對沖基金大規模買入美國半導體股票，買入規模創近三年半以來最高水平。