賽道拆解丨晶圓廠&存儲廠商擴產提速，半導體設備迎來利好

晶圓廠商和存儲廠商擴大資本開支，利好半導體設備廠商

💡核心觀點

自由現金流正從超大規模雲廠商轉移至半導體，並進一步向半導體設備傳導，本質上是技術通脹向上遊製造瓶頸擴散的資產重估。本輪營收增長邏輯來自三重疊加：先進邏輯製程、先進封裝與存儲芯片3D化持續推升晶圓設備量；工藝難度增加使頭部廠商在壟斷格局下獲得溢價與定價權；先進設備佔比提升進一步優化產品結構、增厚利潤率。

2026-2028年WFE市場預計進入長達三年的高確定性景氣週期，設備板塊有望率先受益。存儲板塊由於過去幾年擴產較爲剋制，本輪擴產彈性最大；設備訂單領先芯片出貨1-2年，設備廠商是整條產業鏈中最先收到"真金白銀"的環節。核心受益標的爲 $應用材料 (AMAT.US)$、 $泛林集團 (LRCX.US)$ 和 $東京電子設備 (2760.JP)$ 。

🔍 一、本輪WFE週期

1.1 巨型雲廠商資本開支情況

北美四大雲廠商2026年資本開支全面上修，合計指引約7100億美元，同比增長73.2%。其中亞馬遜約2000億美元，微軟約1900億美元，谷歌1800-1900億美元，Meta 1250-1450億美元，2027年預計仍維持高位。這些資金的50%-70%直接用於採購AI服務器，核心成本項是GPU和定製ASIC芯片，巨額採購訂單直接推動英偉達、博通、AMD業務同步爆發。

與此同時，所有AI芯片均需要HBM高帶寬內存，HBM市場預計從2025年的350億美元增長至2028年的1000億美元，三家HBM廠商（海力士、三星、美光）需要自有產線大規模擴產。台積電最先進製程（4nm→3nm→2nm）還需要CoWoS先進封裝，CoWoS面積逐代翻倍，已成爲全鏈最核心瓶頸。晶圓廠Capex中70%-80%用於購買設備，這是整條傳導鏈的終端落地環節。

1.2 晶圓廠資本開支情況

晶圓廠資本開支驅動下，全球晶圓製造設備（WFE）正處於由AI算力剛需驅動的強勁上行週期。近期各大機構與頭部設備商密集上調了2026-2028年市場預期：預計2026年WFE規模將達1400-1500億美元（同比增速上修至20%-28%）；2027年將進一步衝擊1700-1900億美元（同比增速20%-29%）；2028年仍將維持10%-16%的穩健增長。當前市場定價已開始反映這一長達三年的高確定性景氣週期。

美光、英特爾、台積電等晶圓廠自2026年起正從"大規模土建與潔淨室搭建"階段快速切入"核心設備進場與產能爬坡"階段，資本開支更多投向設備。以台積電爲例，2026年Q1設備開支佔資本開支42%，Q2則躍升至67.1%；英特爾也將2026年資本開支重點放在設備和14A的爬坡上，2027年資本開支預計更爲樂觀。

近日韓國政府宣佈在西南地區新建存儲芯片集群，三星披露2450萬億韓元國內長期投資計劃，標誌着韓國半導體產業迎來數十年最大擴張。三星未來15年（2026—2040年）將在國內投入共計2450萬億韓元，其中約2100萬億韓元用於半導體領域，佔總投資額的76%：1650萬億韓元用於現有晶圓廠及在建項目（含龍仁6號廠完工時間從2047年提前至2040年）；400萬億韓元用於光州2座新晶圓廠；56萬億韓元用於新建HBM晶圓廠，進一步拉長本輪半導體的設備週期。

圖表1：全球半導體設備出貨週期

資料來源：公開資料

1.3 擴產週期下設備板塊首先受益

當前AI基礎設施的真正瓶頸在底層存儲層。 AI訓練/推理/向量數據庫持續消耗大容量DRAM/NAND/HBM，ASP持續上行，長期協議鎖定未來需求和定價，降低了週期波動性，令存儲廠商有足夠自由現金流覆蓋擴產並具備擴產動機。原廠毛利率修復並穩定在35%以上時，資本開支將顯著提速，驅動設備需求。

設備廠商是最先收到"真金白銀"的環節：存儲廠擴產首先需要向設備廠下訂單——從光刻機（ASML）到沉積（ASMI/應用材料）到刻蝕（泛林）到封裝（ASMPT）；設備訂單領先芯片出貨1-2年，設備交付→產線安裝調試→良率爬坡→芯片量產，全程至少需要12-18個月。

本輪設備週期更長：即使存儲芯片價格回落，已下單設備仍需交付；且技術迭代（如HBM從8層→12層→16層、3D NAND從200層→300層以上）不斷產生新設備需求，晶圓設備量與單位產能可售設備持續提升。只有HBM/DRAM充足供應，AI服務器才能大規模組裝交付，當前HBM產能仍在爬坡，一旦存儲供給充足，雲廠商將加速AI服務器投放。

🔍 二、核心受益邏輯

2.1 晶圓廠製造環節

半導體芯片的製造主要分爲前道工藝（晶圓製造）和後道工藝（封裝測試）兩大階段。前道工藝涉及數百道複雜工序，三大核心工藝分別爲：光刻（最關鍵步驟，通過曝光和塗膠顯影將電路圖案精確轉移到晶圓表面）、刻蝕（以等離子幹法爲主，需經過超過100次步驟在晶圓上形成微細結構）、薄膜沉積（採用PVD/CVD等技術形成導電層或絕緣層）。

晶圓製造完成後進入後道工藝，依次經歷減薄/劃片、貼片/固晶、鍵合、塑封，最終完成晶圓級/KGD測試，確保芯片性能與可靠性達標後方可出貨。

2.2 前道工藝

前道晶圓製造設備佔據半導體設備總投資的近90%。隨着摩爾定律放緩，芯片性能提升越來越依賴三維結構（如邏輯芯片的GAA結構、存儲芯片的3D NAND）和材料革新，工藝步驟大幅增加，設備投資成爲剛需。刻蝕與薄膜沉積設備成爲前道工藝中價值量最大的兩個環節，合計佔據前道設備價值量的40%以上（薄膜沉積佔23%，刻蝕佔21%）。先進製程帶來的不僅是設備數量的增加，更是對高端設備採購量的激增。

圖表2：全球半導體設備出貨週期

資料來源：公開資料

2.3 晶圓設備量和工藝難度的雙重驅動

前道設備的核心增長邏輯，是"工藝步驟激增帶來的設備絕對數量膨脹"與"技術壁壘抬升帶來的單台設備價值量躍升"的雙重驅動。隨着摩爾定律逼近物理極限，芯片結構從平面向3D立體演進（如邏輯芯片的FinFET/GAA結構、存儲芯片的3D NAND），22nm之後每一個新節點的工藝步驟平均增加約20%，步驟的拉長直接對應設備採購量的增加，而對加工精度的極致要求則賦予了核心設備更高的定價權。

從晶圓廠實際資本開支來看，先進製程的設備投資呈現驚人的乘數效應：在28nm節點，每萬片/月產能的設備投資額約爲6.4億美元；而到了5nm節點，同等產能的資本開支直接飆升至30億美元以上，是28nm節點的四倍。以台積電爲例，其每千片/月（1k WPM）先進產能的設備擴產成本，已從2023年的1.56億美元快速攀升至2025年的2.41億美元，預計到2027年隨技術架構升級將進一步逼近2.89億美元。存儲產線同步抬升：當DRAM製程演進至1β、3D NAND堆疊層數突破200層時，新建每萬片/月產能的設備投資額也大幅提升至約9億美元。

在工藝難度和設備量的雙重驅動下，價值分配高度集中於解決3D結構成型難題的核心環節——刻蝕與薄膜沉積。針對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及原子層沉積（ALD）等高端設備，其技術壁壘直接決定良率，相關平台型設備商因此獲得了顯著的結構性溢價。

💡 三、公司分享

3.1 $應用材料 (AMAT.US)$

應用材料是半導體設備商中產品線最全面的平台型企業，核心優勢覆蓋薄膜沉積（CVD/PVD/ALD）、化學機械拋光（CMP）、離子注入等領域，薄膜沉積全球市佔率超30%，穩居行業第一。公司經營半導體系統業務和AGS全球服務業務兩大核心板塊，半導體系統業務受AI驅動成爲業績核心增量，設備覆蓋芯片前道晶圓製造和後道先進封裝全鏈條，是全球唯一除光刻機外工藝覆蓋最完整的設備廠商。

隨着摩爾定律在光刻維度的放緩，芯片性能提升的瓶頸已實質性轉移至3D架構（GAA、背面供電）和材料創新（沉積、刻蝕），對工藝協同要求更高，應用材料受益於平台優勢，是先進製程的核心受益標的。

3.2 $泛林集團 (LRCX.US)$

泛林集團是全球半導體前道工藝設備的絕對主力，是全球導體刻蝕（Etch）設備的絕對龍頭（市場份額第一），並在薄膜沉積（Deposition）領域位居全球第二。營收由兩大板塊構成：系統銷售（Systems，佔比約62%）涵蓋刻蝕、沉積和清洗設備；客戶支持業務（CSBG，佔比約38%）圍繞全球超10萬台的龐大設備安裝基數展開，包括備件、服務、設備升級及Reliant產品線，具備高利潤、高現金流和高重複性特徵，近期單季度收入已達21億美元，是平滑半導體週期波動的優質壓艙石。

得益於製造效率提升和高附加值產品佔比增加，公司毛利率從2023年的47.13%一舉突破並穩定在50%以上（2025年達50.01%）。

3.3 $Tokyo Electron (8035.JP)$

東京電子（TEL）是全球第四大半導體設備製造商，產品覆蓋半導體制造四大關鍵工藝環節。在塗膠顯影設備領域擁有約90%的壟斷性市場份額，幹法刻蝕方面全球市佔率約25%-30%，僅次於泛林集團。公司刻蝕設備在3D NAND冷刻蝕、HBM TSV上具有差異化優勢，受益於邏輯代工廠的製程遷移、NAND的多層堆疊化及DRAM的製程遷移。隨着晶圓廠商在高端芯片投資開支持續增加，TEL盈利能力有望持續提升，市場份額有望進一步擴大。FY27塗膠顯影設備收入預期增長50%以上，日元定價策略優化亦有望改善毛利率。

圖表3：公司估值表

資料來源：富途證券整理

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孫碧涵持牌中央編號：BWS708

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