港股節後行情如何看？
昨日再逆勢上漲，閃迪年初已漲超90%，存儲牛市後續催化何在？
近期美股市場中，存儲板塊的表現可謂「一騎絕塵」。昨日美股大盤呈現震盪回調態勢，存儲板塊逆勢走出獨立強勢行情，成爲資金避險與主動進攻的核心配置方向。從核心標的表現來看，昨日 $閃迪 (SNDK.US)$ 上漲近10%，今年以來已暴漲超90%; $美光科技 (MU.US)$ 昨日盤中最高漲近5%，後收於0.62%。
核心邏輯：供需剪刀差將延續至2027年
本輪週期的主要動力來自強勁的需求增長與有限的供應擴張之間的供需錯配。除了AI服務器的強勁需求外，通用服務器市場的復甦也是關鍵驅動力。
回顧2025年的情況，我們可以發現存儲市場在很大程度上是由供應商主導的，由於產品供應短缺，供應商在定價談判中擁有更大的話語權。從市場格局來看，存儲行業呈現明顯的寡頭壟斷特徵，這種寡頭格局意味着定價權高度集中於少數企業，頭部廠商可通過調整產能影響全球市場價格，進而加劇行業的週期性波動。
26年初這一輪行情的直接催化劑來自 $英偉達 (NVDA.US)$ CEO黃仁勳在CES上的講話，尤其是NAND。Rubin 引入 "Context Memory" 平台，將 NAND 從傳統的「冷存儲」升級爲 GPU 的「二級緩存/長時記憶」。通俗來說，從廉價的數據倉庫晉升爲 AI 昂貴的「外掛大腦」。而閃迪能在存儲板塊中領漲，也正得益於其相比於其他公司來說，營收結構更高度聚焦於NAND閃存產品。
注：NAND（閃存）：一種非易失性存儲器（ROM），即斷電後仍能保存數據，通常應用於外部存儲器。和我們平時說的硬盤類似，SSD 固態硬盤、優盤等等都是閃存的一種；DRAM（動態隨機存儲器），俗稱的 「內存條」，利用電容儲存電荷多少來存儲數據，需要定時刷新電路克服電容漏電問題；HBM，意爲高帶寬內存，適合於實現大模型時代的高算力、大存儲的現實需求。
行業新變數：ASIC崛起，與三星的「逆襲」前夜？
存儲類股票過去的上漲邏輯更多是基於傳統存儲（DRAM和NAND）價格回暖的推動，而隨着英偉達推出Rubin GPU平台，HBM4的需求有望在2026年開始爬坡。
從需求端來看，AI的算力競賽遠未結束。除了英偉達GPU需求外，ASIC（專用集成電路）芯片的需求正在爆發。特別是 $谷歌-A (GOOGL.US)$$谷歌-C (GOOG.US)$ 的TPU和 $亞馬遜 (AMZN.US)$ 的Trainium，ASIC芯片將在2026-2027年貢獻超過35%的HBM需求 。這種需求的多樣化，極大地增強了HBM市場的韌性。
而在供給端，由於CoWoS封裝產能的瓶頸以及存儲大廠在資本開支上的極度自律，供應的增長速度遠遠趕不上需求的爆發 。摩根大通的模型顯示，HBM的供需缺口在未來幾年不僅不會縮小，反而可能進一步收緊，預計2027年的供需缺口比率將達到-16%。
另一個值得關注的變量來自三星（Samsung）。市場此前對三星在HBM上的表現頗有微詞，但最新跡象表明，三星極有可能在HBM4的資格認證上給市場帶來「驚喜」 。去年12月據媒體報道，三星電子近日完成了HBM4的量產準備認證（PRA）。該芯片已達到三星內部量產標準，公司計劃加快其進入英偉達供應鏈的步伐。一旦三星順利切入英偉達的供應鏈，其龐大的產能釋放將直接轉化爲業績彈性，這可能是未來一段時間最大的預期差來源。
展望未來：四大催化劑驅動
未來幾個月，我們需要重點關注以下四個核心催化劑：
– HBM4的「入場券」：1月底前後將是關鍵時間窗口。如果三星能夠順利通過英偉達的HBM4資格認證，這將是其股價重估的重大轉折點 ，摩根大通預計其將獲得 $英偉達 (NVDA.US)$ 訂單中30-35%的份額。
– 定價談判的落地：由於三星、美光、海力士都在爭奪 $英偉達 (NVDA.US)$ 和 $博通 (AVGO.US)$ 的客戶訂單，市場擔憂新的競爭可能導致價格戰。目前市場預計HBM3E的價格將同比下降，HBM4相比HBM3E將有30%左右的價格溢價。接下來的定價談判結果，將直接決定存儲大廠2026年的利潤率上限 。
– 雲廠商的Capex指引：隨着AI模型競爭的白熱化，雲服務商的資本開支是否存在上修風險？這將是支撐存儲需求持續爆發的宏觀基礎。
– SK海力士在美國上市的可能性：據媒體報道，該公司已收到多家投行的提案，計劃以ADR（美國存託憑證）形式上市。通過ADR上市，SK海力士不僅能縮小與美光的估值差距，還可能吸引僅投資美國上市股票的被動基金、ETF和純多頭基金的資本流入。
投資者需密切關注1月底三星和SK海力士的Q4業績電話會，特別是關於HBM4良率及客戶認證進度的具體表述，這將是驗證上述邏輯的最關鍵節點。
期權策略：年初漲超90%，閃迪的期權策略如何做？
截止1月20日， $閃迪 (SNDK.US)$ 的遠期市淨率（PB）達到5.5倍，高於 $美光科技 (MU.US)$ 的4.5倍。 $閃迪 (SNDK.US)$ 的引伸波幅（IV）高達110.99%，其IV百分位（IV Percentile）達到89%，這意味着當前的期權引伸波幅水平，在過去一年中處於極高的位置。
從期權成交數據看，Put/Call比率在1.0附近。未平倉合約數據顯示，看漲與看跌的持倉量也大致相當。這表明大漲之後，市場分歧與博弈較大。期權市場暗示，即將到來的業績周（1月底）預期波動正負約爲20%。
綜合來看，SNDK.US的技術面呈現明確的強勢上漲格局。然而，極高的短期RSI和期權引伸波幅共同發出了強烈的信號：市場在積極推動價格上漲的同時，也普遍預期並定價了未來可能出現的高波動性。期權權利金非常昂貴，在關注趨勢延續的同時，也需要對潛在的劇烈價格震盪有所準備。策略重點應放在“防禦”或“成本抵消”上。
1. 保守型：持有正股的「增強收益」策略
可以在持有股票的同時，沽出虛值的Call（認購期權），行權價可以選擇較遠的，以避免被行權。目的是利用當前極高的 IV 賣出高位 Call，透過權利金收入增強收益，在股價不升穿這個價格的情況下，就不需要被行權沽出正股，能收穫權利金。但如果股價升破了這個價位，也就損失了你原本正股可能獲得的更多的收益。
2. 穩健型：想入場但怕追高
Cash-secured Put現金備兌認沽期權。當前股價技術面存在超買風險，如果你長期看好，但認爲當前價格較高，擔心短期可能出現回調，又想低價接貨。那麼可以利用當前較高的波動率賺取權利金。如果股價回調，你以理想的低價（行權價-權利金）接貨開倉；如果股價繼續漲或橫盤，你白賺權利金。不過要特別提醒一下，賣Put的策略需要繳納足夠的按金。一定要控制好倉位。
3. 積極型：押注業績暴漲
牛市看漲價差 (Bull Call Spread)。 直接買 Call 太貴，須通過「買低賣高」來降低成本。在買入實值（ITM）或平值（ATM）Call的同時，賣出一個更高行權價的虛值（OTM）Call。這能大幅降低持倉成本，並抵消部分IV下降的風險。 即使高位震盪，只要不深跌，仍有機會獲利；不僅降低了權利金支出，還規避了部分「波動率回歸」的風險。
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