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【硅基經濟】長鑫科技（擬IPO）：國產存儲破局者，10年突圍，填補中國大陸高端DRAM空白

硅基經濟專題：長鑫科技（擬IPO）

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一、長鑫有望進入全球消費電子巨頭與頭部雲廠商、國內頭部互聯網平台供應鏈，反映全球存儲供應鏈格局調整與國產存儲廠商競爭力提升。

1、全球存儲供給緊張背景下，蘋果、谷歌等美國科技巨頭，後續可能採購長鑫內存芯片，提升供應鏈多元化水平，代表長鑫產品綜合競爭力，進入國際一線客戶視野。

媒體報道，2026年5月起，蘋果啓動對美國政府遊說工作，率先對接美國商務部，後續持續遊說白宮、其他聯邦政府部門，核心訴求是申請專項合規許可，將長鑫存儲納入蘋果全球DRAM供應鏈採購體系，計劃用於iPhone、Mac等終端產品。

目前長鑫LPDDR5X傳輸速率達10,667Mbps，性能與良率達到國際一線水平，滿足蘋果品控標準。

外媒援引知情人士消息，谷歌在評估從長鑫採購DRAM芯片可行性，谷歌內部供應鏈團隊，開始對長鑫DRAM產品，進行資質審核、穩定性測試、成本測算，潛在採購標的以成熟製程DDR5爲主，計劃主要用於谷歌自研TPU芯片。

長鑫被美國國防部列入1260H清單，不同於美國商務部實體清單，不直接禁止美國公司採購長鑫產品，但相關採購合作，面臨政治、聲譽、監管不確定性等方面挑戰。

即使美方批准，蘋果等海外客戶，短期很難拿到長鑫足量貨源。中國國內DRAM供應整體偏緊背景下，長鑫產能預計優先滿足國內市場需求，包括本土服務器、互聯網大廠、智能終端廠商等需求。長鑫此前披露，目前產能規模遠低於國內需求，海外供貨空間極爲有限。

2、騰訊與長鑫合作，是國產高端DRAM進入國內頭部互聯網平台核心算力供應鏈的標誌性突破。

媒體報道，騰訊與長鑫簽署大額長期存儲芯片供應協議，總金額超200億，合作期限3~5年，供貨標的主要是通過高負載驗證的數據中心與AI服務器專用DDR5芯片，是否包含HBM目前無法確認。

長鑫在A股科創板上市前夕，與騰訊簽署合作訂單；對騰訊，是在全球DRAM緊缺、供給不確定背景下，提前鎖定供應，降低供應鏈風險；對長鑫，是獲得重要大客戶背書，爲後續新增產能，提前鎖定下游需求，可從客戶層面，驗證國產存儲芯片的性能、可靠性、規模化交付能力。

3、長鑫也在與其他國內互聯網公司談判合作，包括阿里雲、字節跳動、小米等。

二、長鑫推動國產DRAM從0到1，進入全球DRAM主要廠商陣營。

2025年Q4，長鑫DRAM銷售額，佔全球DRAM市場份額，提升至7.67%，僅次於三星、SK海力士、美光，排全球第四。

DRAM行業高度集中，前三家廠商，2025年佔全球DRAM市場份額，合計超過90%。長鑫進入全球第四，意味着國產DRAM不再只是小規模驗證或局部替代，開始進入全球主流供應體系。

三、長鑫戰略價值，不只是內存芯片公司的商業增長，更是中國大陸DRAM領域的國產替代。

長鑫是中國規模最大、技術最先進、佈局最全的DRAM研發、設計、製造一體化企業，形成DDR系列、LPDDR系列兩大產品線，具備晶圓、芯片、模組等多種產品形態，覆蓋服務器、移動設備、PC、智能汽車等主要應用市場。

中國長期是全球主要DRAM需求市場，DRAM供給長期由三星、SK海力士、美光等海外廠商主導。

長鑫是國產DRAM從0到1突破者，成爲全球主要內存廠商之一，使中國大陸在主流DRAM賽道，擁有規模化研發、製造、交付能力。

中國半導體供應鏈安全視角看，長鑫戰略價值突出。長鑫崛起，使中國AI算力、雲計算、終端設備產業鏈，在關鍵存儲環節，擁有更強的自主支撐能力，在大國科技博弈背景下，戰略價值突出。

四、長鑫產業生態能力，從單點國產替代、走向鏈式帶動。

長鑫的客戶與供應商網絡，形成國產DRAM產業生態雛形。長鑫上下游網絡，共同構成國產DRAM從研發到量產、從上游材料設備到終端應用的產業閉環。

上游方面，長鑫與半導體設計企業、EDA廠商、材料廠商、設備與零部件廠商、存儲模組廠商等緊密合作。

下游方面，長鑫服務於服務器、移動設備、PC、智能汽車等客戶，與阿里雲、字節、騰訊、聯想、小米、傳音、榮耀、OPPO、vivo等頭部客戶合作。

長鑫對中國本土存儲生態帶動，不只體現在採購金額。DRAM廠商對上游產品要求極高，上游設備、材料、化學品、氣體、硅片、光阻劑等供應商，如果進入長鑫產線，能獲得真實量產環境驗證。

量產驗證，往往比實驗室測試更有價值，產線會暴露穩定性、批次一致性、交付能力、質量控制等深層問題。長鑫規模越大，中國本土上游廠商越有機會在真實場景中迭代產品。

長鑫對下游客戶價值，不只是提供國產芯片。雲計算、服務器、手機、PC、智能汽車客戶，需要穩定供給、產品協同、快速響應。

長鑫能與客戶共同進行產品定義、認證、交付、持續迭代，把國產DRAM從替代型採購，推進到協同型供應。

對終端客戶，意味着供應鏈安全提高，讓產品開發與庫存管理更具彈性。

五、2016年，長鑫成立，10年時間，實現快速崛起，是人才、技術、資本共同作用的結果。

人才提供產業判斷與組織能力，技術提供DRAM市場切入起點、支持產品迭代，合肥國資等長期資本提供虧損承受能力、產線建設能力、本地供應鏈支撐等，讓長鑫從中國本土DRAM新進入者，成長爲全球DRAM市場的重要變量。

1、人才，是長鑫起步與持續迭代的核心。

長鑫創始人朱一明，早年創辦兆易，在NOR Flash與MCU領域積累存儲芯片產業經驗，形成從產品定義、供應鏈組織，到資本運作的綜合能力。

長鑫進入DRAM市場後，持續引入德國DRAM巨頭奇夢達、美光、閃迪、應用材料等公司人才，把外部經驗轉化爲內部研發與量產能力。

長鑫創始人、董事長朱一明，1972年生，清華本碩，赴美留學，深耕半導體存儲領域。

2005年，朱一明回國創業，至今21年，先後打造兩家上市公司，是中國存儲芯片國產化的核心推動者之一。

2005年，朱一明創立兆易創新，2016年，兆易上市，當時科創板尚未推出，是按上交所主板標準完成上市，目前市值4,756億。

2016年，朱一明與合肥國資聯合創立長鑫，2026年，長鑫即將在科創板上市，市值有望超過3萬億，有機會成爲A股上市公司市值第一，未來發展空間巨大。

2、技術，是長鑫切入DRAM行業起點，支持產品研發、創新、迭代。

長鑫不是從0開始摸索DRAM，主要通過收購奇夢達相關專利許可、技術資料、埋入式字線（存儲行業術語，指存儲芯片裏的基礎物理控制線）BWL架構，獲得早期技術基礎。

奇夢達資產，幫助長鑫跨過最初的專利與工藝門檻，後續長鑫持續推進自主研發、產品迭代、量產爬坡。

3、耐心資本，是長鑫能穿越長期虧損的關鍵支撐。

DRAM是重資產、長週期、高波動行業，單靠民營資本很難承受多年研發投入與產線建設壓力。

合肥政府通過長期股權投資、產業基金、本地配套建設，爲長鑫提供持續資金、廠房產線、上下游供應鏈集群等，使長鑫能在長期虧損狀態，持續擴產與迭代產品。

六、長鑫業績爆發，來自DRAM出貨量增長、與產品均價ASP上漲，尤其是ASP上漲。

2026年Q1，長鑫收入約508億人民幣/75億美元（+719%），接近2025全年收入618億人民幣/91億美元（+156%）。

2026年Q1，長鑫出貨量環比增長約11%，ASP環比增長約57%；2025年Q3、Q4，長鑫ASP環比分別增長約63%和68%；說明長鑫業績增長核心驅動，是DRAM供需緊張帶來的價格彈性，不是短期內大幅搶佔三星、SK海力士、美光的市場份額。

SemiAnalysis預計，長鑫在全球DRAM市場出貨量份額，將從2025年約9%，提升至2027年約12%，份額提升幅度有限，在DRAM價格上漲、市場規模擴張背景下，足以推動長鑫收入與利潤顯著放大。

SemiAnalysis反駁中國存儲低價衝擊市場的簡單判斷。2026年Q1，長鑫DRAM ASP，只比三星、SK海力士、美光，低約5%~10%，後續價差可能擴大，主要原因不是長鑫低價策略，是不同廠商產品組合差異。

三星、SK海力士、美光，擁有更高比例的服務器DRAM與HBM出貨，這些產品相同容量售價，高於消費級DRAM。

SemiAnalysis預計，2027年底，服務器DRAM與HBM，將佔DRAM整體需求的50%以上。隨着服務器DRAM與HBM佔比提升，三星、SK海力士、美光的ASP，相對長鑫的ASP領先幅度可能擴大。

七、長鑫毛利率改善，不能簡單理解爲技術趕超。

長鑫毛利率，從2023年的-113%、2024年的-4.7%，轉正至2025年約38%，顯示DRAM週期對利潤改善的巨大影響。

2025年，長鑫毛利率37.8%，接近三星39.4%、美光39.8%，明顯低於SK海力士60.4%。

2026年Q1，長鑫經營利潤率約70%，接近SK海力士73%，低於三星81%、美光84%。

長鑫利潤率上升，主要受益通用DRAM價格暴漲，不是成本結構追上三星、SK海力士、美光三大巨頭。目前長鑫DDR5單位存儲容量成本，比三星、SK海力士、美光三大巨頭高30%以上，說明長鑫產品競爭力與製造效率，與三大巨頭有差距。

八、SemiAnalysis預計，長鑫快速擴產，將接近全球一線DRAM廠商產能水平。

2026年底，長鑫12英寸等效晶圓月產能，將達約35萬片，接近美光約38.5萬片的月產能，距離三星72萬片、SK海力士59.5萬片的月產能，有不小差距。

SemiAnalysis預計，長鑫2026年全年收入，將超過3,400億人民幣/500億美元；長鑫官方預計，2026年上半年收入1,100~1,200億人民幣/162~176億美元，對應長鑫2026年下半年收入2,200~2,300億人民幣/324億~338億美元，環比增長83%~109%。

隨着長鑫合肥與北京工廠產能釋放、上海一期工廠產能爬坡，2027年底，長鑫DRAM晶圓月產能將達約42萬片，約佔全球DRAM產能17%；2028年底，長鑫DRAM晶圓月產能將升至約50萬片，由於全球DRAM總產能擴張，長鑫產能份額保持約17%。

長鑫產能擴張速度快，未來有機會衝擊全球前三大DRAM供應商地位，將改變全球DRAM競爭格局，使中國存儲廠商從區域供應商，成爲全球DRAM市場的重要變量。

長鑫快速擴產，帶來市場對DRAM供給衝擊的擔憂，未來2年該擔憂可能被高估。

即使長鑫與其他存儲廠商增加產能，假設行業產能利用率維持90%以上，DRAM仍將處於供不應求狀態。存儲晶圓廠，建設週期較長，長鑫短期內難以加速擴產、衝擊當前DRAM高價格環境。

SemiAnalysis預計，2026年，全球DRAM可能出現高個位數供給短缺，2027年短缺幅度可能擴大到低雙位數、或中雙位數區間。

九、HBM是長鑫短板，長鑫目前產能中，HBM很有限。

長鑫2025年約99%收入，來自DDR與LPDDR產品，HBM對收入、利潤貢獻很小。

SemiAnalysis估計，2025年底，長鑫月產能中，只有約5,000片分配給HBM；2026年底、2027年底，該數字將分別提升至約3萬片、5.5萬片。

長期看，中國AI算力自主化，將推動長鑫提高HBM產能。

在中國政策推動、國產AI算力需求增長、HBM技術改善共同作用下，長鑫HBM晶圓月產能，將從2025年底約5,000片，增至2028年約10萬片，在全球HBM晶圓供給中，SemiAnalysis估計長鑫份額佔比，將從2025年約1%，提升至2028年約12%；這是晶圓供給份額，不等於收入份額或出貨量份額。

長鑫短期繼續優先生產通用DRAM，經濟上更合理。長鑫HBM技術尚未成熟，HBM產品良率，低於通用DRAM，對長鑫來說，當前通用DRAM利潤率更高。

中國國家戰略出發，中國需提高HBM自主供給。2024年12月，美國出口管制政策，限制HBM2E與以上代際產品對中國銷售，韓國廠商對中國供貨空間受限。

中國AI芯片公司對HBM需求增長，長鑫在HBM方面，戰略價值突出，不能只基於短期利潤測算。

短期看，長鑫繼續做通用DRAM，更容易釋放收入與利潤；長期看，HBM是長鑫必須突破的戰略方向，突破過程比普通DRAM更難。

十、長鑫HBM短板，主要集中在前道製造、多層堆疊等環節。

前道，指晶圓製造，把DRAM芯片本體做出來；後道，指封裝測試，把多顆DRAM芯片垂直堆疊、連接，封裝成HBM產品。

普通DRAM有較高製造難度，HBM難度更高，需要把多層DRAM芯片堆疊起來，保證每層芯片本身良率足夠高，也要保證堆疊、連接、封裝過程不出問題。

長鑫在前道環節，現有工藝可支撐部分HBM產品，與三星、SK海力士、美光相比，在先進DRAM製程、良率控制、產品穩定性上，有明顯差距。

長鑫在後道環節，相對容易追趕，後道環節受海外設備出口管制的約束較小，長鑫可通過封測夥伴補強後道能力，整體水平落後全球領先廠商。

長鑫目前處在HBM3 8層堆疊產品的生產與供貨嘗試階段，後續向12層堆疊產品推進，製造與封裝難度將明顯提高。

華爲、寒武紀等中國AI芯片公司，預計可能採用長鑫HBM；國內廠商如果能獲得海外HBM，會優先選擇海外產品。

十一、2026年6月29日，韓國總統李在明，主持召開韓國大飛躍三大超級項目國民報告會，三星董事長李在鎔、SK集團（SK海力士是SK集團旗下上市公司）會長崔泰源出席，三星、SK集團提出大規模韓國國內投資計劃。

1、韓國大飛躍三大超級項目，分別對應半導體、物理AI、AI數據中心三條主線，三星、SK集團是核心執行主體。

三星計劃投資2,655萬億韓元/1.72萬億美元，包括2,030萬億韓元/1.32萬億美元，將投向平澤、龍仁等首都圈半導體集群；625萬億韓元/4,060億美元，將投向非首都圈未來產業，包括半導體基地、AI數據中心、智能手機工廠、機器人、先進顯示、電池等項目。

SK集團計劃投資2,100萬億韓元/1.36萬億美元，包括約1,100萬億韓元/7,140億美元，將投向AI內存生產能力擴張，圍繞龍仁、清州、西南部形成AI內存生產帶；約1,000萬億韓元/6,490億美元，將投向AI數據中心，目標建設15GW級AI數據中心基礎設施。

三星、SK兩大集團合計投資規模，達4,755萬億韓元/3.1萬億美元，約是韓國政府年度預算6.5倍，大幅超過此前市場預期，代表兩大集團圍繞AI時代產業基礎設施，提出的中長期韓國國內投資計劃的總規劃。

韓媒稱韓國上述兩大集團投資週期，面向未來10年、甚至更長時間。

2、三星、SK集團大舉投資，代表韓國試圖把AI存儲超級週期，轉化爲國家級產業擴張機會。

過去，韓國半導體產能，高度集中在首都圈與京畿道；當前，AI推動HBM、DRAM、NAND、先進封裝需求持續上升，韓國首都圈原有半導體基地，開始面臨土地、電力、水資源、輸電等瓶頸。

韓國政府希望，基於三星、SK集團新一輪投資，把半導體制造、AI數據中心、電力水務、地方產業集群等，放在同一框架下推進，目標是在鞏固韓國全球存儲優勢的同時，緩解首都圈瓶頸，帶動非首都圈形成新的先進製造基地，強化韓國在AI存儲週期中的國家競爭力。

3、2026年7月3日，三星啓動2026年Q3 DRAM合約價格談判。

三星此次提價，覆蓋通用DRAM全品類，計劃平均售價環比最高上調20%，LPDDR等移動存儲品類目標漲幅高於平均水平。

三星DRAM產品，2026年內連續三個季度大幅漲價，2026年Q1環比漲幅約90%，Q2環比漲幅50%~60%，Q3預計環比最高上調20%，漲價幅度逐季收窄，上行趨勢未發生轉向。

目前多家中國下游終端廠商，確認三星此次漲價談判真實性，多數廠商通過提前鎖定採購量與長協模式，對沖存儲芯片價格持續上漲壓力。

十二、2026年7月1日，外媒報道，Meta計劃推出雲計算業務Meta Compute，向外部客戶出售AI算力，引發市場對AI算力過剩的擔憂。

Meta在AI基建領域，投資風格激進，2026年資本開支計劃1,250~1,450億美元，規模超過2024~2025兩年總和。

與谷歌、微軟、亞馬遜相比，Meta沒有成熟的雲計算業務，承接AI基建，龐大AI投入主要服務自身廣告推薦、內容分發、AI應用等場景，缺乏清晰的外部變現路徑。

Meta計劃佈局雲服務，核心目的是盤活存量算力、提升資產利用率、回籠現金流，支撐持續高企的資本開支。

Meta旗下開源LLaMA系列、閉源Muse Spark系列兩條大模型產品線，整體表現不及行業頭部水平，用戶規模相對有限，造成內部出現部分算力閒置，以H100、H200等存量算力爲主，Meta持續大規模採購GB200等新一代高端算力芯片。

Meta此次雲服務計劃，主要是自身算力資源的結構性閒置，不代表AI行業整體算力過剩，全球範圍看，AI算力整體處於供不應求的狀態。

2026年7月3日，知名半導體研究機構SemiAnalysis發文，駁斥市場上關於Meta出售算力，代表資本開支放緩的敘事。

2026年上半年，Meta通過雲租賃與第三方託管等方式，簽約超過5GW算力容量，不包括Meta加速推進的自建數據中心項目，實際算力擴張規模更大。

SemiAnalysis判斷，Meta數據中心建設與算力採購，不會減速，將進一步加速，預計2027年Meta資本開支規模，將高得驚人。

行業整體看，谷歌、微軟、亞馬遜、Meta四家，2026年資本開支合計約7,250億美元，同比增長77%，AI基建投入處於加速上行階段。

Meta巨額算力投入，不是爲了成爲專業算力雲廠商Neocloud，主要服務四個差異化的高價值場景。

第一、前沿大模型訓練是核心，Meta超級智能實驗室MSL，持續推進自研閉源模型迭代，團隊對技術進展感到振奮。

第二、Meta廣告推薦系統RecSys，存在10倍以上的擴容空間，Meta計劃通過大幅提升推薦模型複雜度，驅動廣告單價與用戶時長增長。

第三、Meta與Anthropic推進百億美元級深度合作，計劃在Meta雲平台上，提供Claude模型的私有實例服務，對標亞馬遜AWS Bedrock等模型即服務模式。

第四、Meta致力打造SpaceX式的高溢價、按需租賃算力市場，僅數百兆瓦彈性容量，可帶來超百億美元年收入。

Meta入局雲算力市場，對專業算力雲廠商Neocloud形成直接衝擊。CoreWeave、NEBIUS等專業算力雲廠商Neocloud，此前持有Meta數百億美元級別的算力訂單；隨着Meta入局雲算力市場，代表CoreWeave、NEBIUS核心大客戶，變爲潛在競爭對手，預計市場將重新評估這類廠商的客戶粘性與定價權。

更宏觀產業視角看，Meta動作標誌着AI基礎設施，開始從純成本項，向可貨幣化資產轉變，推動行業競爭邏輯，從不計成本的算力軍備競賽，轉向以資本回報率爲核心的精細化運營。

十三、聯想近期宣佈，受全球存儲芯片供給緊張、價格持續上行影響，啓動第二輪全品類價格上調。

2026年3月，聯想已開啓首輪終端產品調價；此次宣佈，2026年7月將開啓第二輪全品類價格上調，覆蓋PC、服務器等核心產品線。

聯想表示，調價核心原因，是DRAM、NAND Flash供給缺口擴大，整機物料成本大幅上升，廠商內部成本消化空間已近閾值，本次調價旨在對沖成本上漲壓力，保障經營與交付體系的平穩，未來將通過長協訂單，鎖定主流存儲廠商產能，提升交付穩定性。

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