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賽道拆解 | 碳化硅(SiC)從電車增量走向 AI 剛需主賽道

一、核心觀點

碳化硅已從車載配套材料升級爲AI算力基建的核心剛需，新能源車是當前業績基本盤，AI服務器是遠期增量核心。

本輪行業上行呈現強結構性：車規級、AI專用的高端襯底與器件率先修復，通用工業級產品仍處過剩狀態。

高端合格產能受良率與認證壁壘約束，是當前行業真正瓶頸，後續高端產能緊張有望逐步向全產業鏈傳導。

💡 成長邏輯：AI算力功耗攀升推動數據中心高壓直流架構普及，疊加800V電車加速滲透，共同帶動碳化硅產品規格、單機用量、單瓦價值三重提升。

上游晶體生長、外延工藝的技術壁壘，使得合格產能擴張速度顯著慢於需求增速，支撐行業景氣持續。

🔍配置：優先關注下游功率器件龍頭，器件設計、製造與生態綁定形成高階壁壘，中長期確定性更強。中上游襯底外延龍頭的晶圓尺寸及產能快速迭代，在行業beta下具備較強彈性。

⚠️ 風險提示：行業產能擴張超預期引發價格戰反覆；大尺寸晶圓良率爬坡進度慢於預期。

二、熱點概要

碳化硅作爲第三代半導體核心材料（寬禁帶半導體的代表），核心物理優勢決定其在高端製造中的不可替代性：

🔵禁帶寬度是硅的3倍 → 耐高溫，極限工作溫度超600℃

🔵擊穿場強是硅的10倍 → 耐高壓，適合800V以上平台

🔵熱導率是硅的3倍 → 散熱極佳，契合AI高功耗需求

需求正從單一新能源車驅動轉向"車 + AI算力 + 先進封裝"多輪驅動。

三、產業鏈劃分

【上游：原材料和襯底】碳化硅粉體 → PVT法晶體生長 → 切割/研磨/拋光 → 襯底片（導電型用於功率器件，半絕緣型用於RF/GaN外延）

【中游：外延】在襯底上通過CVD外延生長高質量單晶薄膜，控制厚度與摻雜均勻性。兩條路線：

🟢同質外延：碳化硅襯底上繼續長碳化硅薄膜 → 用於功率器件

🟢異質外延：碳化硅襯底上長氮化鎵薄膜 → 用於射頻器件，技術溢價與壁壘更高

【下游：器件製造+應用】外延片 → 器件設計/製造（MOSFET、二極管、功率模塊）→ 封測 → 終端應用

💡 價值分佈：襯底佔SiC功率器件成本47%，外延佔23%，器件製造佔30%。

核心彈性集中在襯底與外延，但下游器件設計與生態系統綁定正在築起"高階壁壘"——

🏭芯片結構的技術代差（如平面型轉向溝槽型）無法靠原材料彌補，這也是下游IDM廠商依靠壁壘優勢，高價把碳化硅模組賣給汽車與AI數據中心的底層邏輯。

碳化硅產業鏈結構圖

三、價格走勢

2024-2025年，碳化硅行業經歷劇烈價格戰：6英寸襯底從2023年底約6000元/片，跌至約1500元/片，跌幅約75%。背後是2022-2023年資本密集投入後，2024-2025年產能快速釋放，而下游需求增速又低於預期，導致"出貨量增長、營收下滑、利潤穿透"的典型週期下行。

📈2026年出現明顯修復：6英寸襯底從1500元/片反彈至約4900元/片，反彈幅度超過110%；8英寸也逐漸止跌企穩。

關鍵判斷：本輪修復不是"全市場統一漲價"，而是價格體系顯著分裂：

🔶消費/工業級襯底保持低價，持續內卷

🔶高階車規級需求強勁，價格維持高位

🔶頭部襯底廠產能利用率超90%，芯片/模塊公司交付週期拉長

設備公司訂單旺盛，說明本輪恢復不是簡單的補庫存，而是高規格產品真實供需趨緊。

本輪價格修復的本質，不是行業突然從過剩變成短缺，而是低端和高端晶圓、高規格車規與通用品之間的供需分化快速擴大。所以未來2-3個季度，行業仍將呈現出「結構性緊張、結構性漲價、結構性盈利改善」的特徵。

6英寸 vs 8英寸剪刀差：2026年中國800V電車爆發，車規級6英寸優質襯底出現階段性結構性短缺；而 $英飛凌科技(ADR) (IFNNY.US)$ （馬來西亞居林廠）、 $安森美半導體 (ON.US)$ （韓國富川廠）的8英寸良率在2026年上半年實現規模化突破，切割紅利導致8英寸單片成本急劇下探。

今年下半年價格預判：

🔵6英寸車規級：高位橫盤4500~5000元/片，裝機高峰期短缺持續

🔵6英寸消費級：繼續在1500元泥潭內卷

🔵8英寸：繼續下探至3500~3800元/片，頭部IDM故意拉大價差逼迫供應鏈向8英寸遷移

🔵2027年：6英寸車規價格加速下跌，8英寸全面替代

6英寸/8英寸碳化硅襯底價格走勢

四、需求升級迭代

根據Yole Group數據，2024年全球碳化硅功率器件市場規模26億美元，2029年預計達136億美元，2024-2029年CAGR達40%。

SiC需求定價權正從單一汽車鏈向多應用擴散。2030年需求結構預期：

🟢AI相關：佔6英寸總需求41%

🟢新能源汽車：佔26%

🟢AR眼鏡：佔23%

汽車是現階段收入基本盤，2025年國內搭載碳化硅的新能源車出貨量達250萬台，2026年有望突破400萬台，同比增幅60%以上，碳化硅滲透率由2025年約15%提升至2026年約20%。

AI是遠期天花板被抬升的核心變量，即便車規滲透是主線，未來大級別的增量可能來自高功率AI服務器、HVDC供電、固態變壓器、先進封裝中介層和新型消費電子。

🔵AI服務器專用碳化硅MOS管交付週期已拉長至52周

🔵同規格下，高端AI碳化硅MOS管售價至少是車載MOS管的兩倍（AI客戶訂單需求迫切、體量巨大，合格產能短期不足）

🔵行業測算：一套1兆瓦高壓直流數據中心供電系統，碳化硅器件價值量可達5000-6000美元

🔵2028年全球新增AI數據中心供電裝機預計80吉瓦，若高壓直流滲透率達100%，對應碳化硅器件市場增量爲4億至4.8億美元

全球碳化硅功率器件市場規模預測

2030年全球6英寸襯底需求結構預期

五、公司分享

🥇 上游襯底及設備

1. $天岳先進 (02631.HK)$ 全球碳化硅襯底龍頭。受價格戰影響，2025年歸母淨利潤-2.08億元，全年毛利率13.05%。但境外收入達6.77億元，境外毛利率高達35.97%，遠高於內銷水平，表明其高附加值產品在國際市場議價權極強。

💡 核心看點：

· 全球導電型SiC襯底市佔27.6%，超越 $Wolfspeed (WOLF.US)$ 登頂全球第一

· 8英寸導電型襯底市佔51.3%，同樣全球第一，斷層領先

· 全球少數能量產8英寸SiC襯底的公司，也是率先推出12英寸SiC襯底的公司

· 2026Q1毛利率回升至19.12%，環比提升25%，淨利率改善43%，底部修復信號明確

行業當前從6英寸價格戰切到8英寸放量， $天岳先進 (02631.HK)$ 不僅是參與者，更是核心受益者。作爲碳化硅襯底賽道龍頭，長期將充分受益於多賽道需求擴容。

需注意，2026全年8英寸襯底價格趨勢下行，仍會對利潤率形成壓制。

天岳先進產能擴張與產量趨勢

襯底公司對比

2. $維易科精密儀器 (VECO.US)$ 精密儀器細分領域龍頭，小市值、高彈性。核心工藝聚焦外延、離子束、激光退火及後道封裝光刻。VECO的外延設備直接受益於 $英飛凌科技(ADR) (IFNNY.US)$ 、 $意法半導體 (STM.US)$ 等全球功率半導體大廠的8英寸擴產資本開支。

💡 核心看點：

· LSA激光尖峰退火技術滿足先進邏輯與DRAM/HBM低熱預算需求，已成爲台積電、Intel、三星三家Tier-1巨頭的PTOR（基準工藝設備認證）。被頭部客戶納入roadmap的意義不是立刻貢獻大體量收入，而在於一旦評估轉量產，收入斜率更加陡峭。

· 短期基本面築底反彈：Q1營收1.58億美元，同比因傳統存儲/LED週期回落略有下滑；Q2營收指引1.70-1.90億美元，環比大增7%-20%，非GAAP EPS預計從Q1的$0.14回升至$0.20-$0.32，維持2026全年營收7.40-8.00億美元強勁指引

管理層強調隨着下半年訂單加速，2027年的業績可見度已經非常高。

· 特點：增長速度更快、ASP更高、客戶替換成本更高，滲透率提升帶來的彈性也更大。

VECO業務板塊收入結構與技術升級時間線

3. $Tokyo Electron (8035.JP)$ 全球前道設備平台龍頭，覆蓋刻蝕、塗膠顯影（近乎壟斷）、熱處理、清洗、沉積等幾乎所有主要設備類別。

💡 核心看點：

· 2026年Q1 單季營收環比高增28.9%，營業利潤率從21%大幅修復至28.9%

· 2027財年銷售額增長目標近40%，不再主要依賴中國成熟製程或提前拉貨，底氣來源於更高ASP、更高技術壁壘、更強可持續性的先進工藝。

· 2026財年先進封裝（含HBM晶圓鍵合）收入已達約2000億日元，預計下一年增長60%以上

· DRAM是晶圓設備增速最快賽道，東京電子份額行業第一

· 全品類設備啓動調價，漲價紅利將在27財年下半年體現於毛利率端

· SiC溝槽型器件專用高能等離子體刻蝕機，是製造高性能SiC溝槽芯片的絕對壁壘

東京電子全球區域銷售結構變化（FY2025-FY2026預測）

$Tokyo Electron (8035.JP)$ vs $維易科精密儀器 (VECO.US)$ ：東京電子是"高確定性成長型核心資產"，優勢在收入體量大、產品覆蓋廣、龍頭份額深；VECO是"技術突破+訂單兌現"的高波動彈性標的，細分賽道景氣度高、先進封裝與高端退火業務有更高邊際彈性。

🥈 中游外延

$瀚天天成 (02726.HK)$ 全球碳化硅外延市場龍頭，客戶覆蓋全球前十大功率器件廠商中的8家，至少3家客戶產品成功打入英偉達兆瓦級AI數據中心供應鏈。全球市佔超30%，說明是結構性領先。

💡 核心看點：

· 國內首家實現8英寸SiC外延片量產的企業

· 全球首個完成12英寸碳化硅外延晶片技術突破的企業

· 8英寸產能從年4萬片擴至2029年46.3萬片，18家8英寸合作企業

· 2025年全年收入7.65億元，經調整淨利潤1.98億元；現金流健康，經營活動現金流淨額1.23億元

毛利率從2022年44.7%下滑至24.8%，當前市銷率50倍左右，已部分計入2026年修復預期，需基本面接力。

⭐但公司憑藉8英寸產能從年4萬片擴至2029年46.3萬片的計劃、18家8英寸合作企業、以及相對同業仍然顯著更強的盈利韌性，在行業beta下仍具備較好的向上彈性，有階段性機會。

瀚天天成外延片銷量結構與產能利用率

外延公司對比

🥉 下游廠商

1. $英飛凌科技(ADR) (IFNNY.US)$ 全球唯一掌握硅、碳化硅、氮化鎵三大功率半導體核心技術的企業，能爲客戶提供一站式功率半導體解決方案。

· 汽車半導體：25年收入佔比50%，車用功率半導體全球市佔13%，連續六年全球第一；車規MCU 2025年市佔升至36%。在MCU、MOSFET、車用傳感器等高可靠性領域，技術與功能安全壁壘深厚，是國內高端客戶首選供應商。產品定價改善，疊加車用高壓功率半導體業務的資產優化，預計2027財年汽車板塊毛利率將提升數百個點子。

· 電源系統業務：營收佔30%，2025年營收7億歐元，2026/2027財年目標分別爲15億/25億歐元。

💡 核心看點：

· AI數據中心功率半導體龍頭，增長瓶頸僅爲產能不足，市場實際需求遠超預期

· 處理器功耗越高，供電BOM價值同步增長；若供電架構從橫向轉向垂直，單千瓦產品價值將階躍式提升，目標每千瓦100-250美元

· AI CPU供電是全新增量賽道，2027財年25億歐元指引尚未含CPU相關業務

· 已完成一輪漲價，條件允許時可能繼續提價

除傳統GPU、ASIC供電需求外，AI CPU供電市場成爲全新增量，在該領域佈局優勢突出。CPU 的供電芯片用量與核心數量成正比，而行業CPU核心數正持續增加。

2027財年25億歐元的指引並未包含CPU相關業務。因此預計隨着推理類、智能體類AI帶動CPU需求走高，英飛凌後續大概率會上調AI供電板塊的營收預期。

英飛凌車規MCU與功率半導體全球市場份額

2. $安森美半導體 (ON.US)$ 碳化硅IDM廠商，擁有從襯底、外延到器件設計、封裝的全流程技術能力。2024-2025年遭遇汽車去庫存與產能利用率不足衝擊，毛利率從45%下探至38%左右——"底部確認"已通過利潤率修復得到驗證。

💡 核心看點：

· 2025年全年自由現金流14億美元，歷史新高

· 2026Q1營收15.13億美元，GAAP毛利率38.5%，環比持續改善；營業利潤率19.1%，同比高於18.3%

· 產能利用率提升至77%，管理層認爲低90%才算"充分利用"，對應未來仍有較大經營槓桿空間

· AI數據中心業務2026Q1環比增長超30%、同比翻倍以上；2029年目標12億美元，對應CAGR超40%

· 2026全年資本開支僅1.5-2億美元，等待利用率回升而非主動大擴產

💡 安森美勝在彈性，但高波動，適合進攻型配置。

六、總結與投資建議

碳化硅賽道雖然沒有類似存儲在AI行情的主線地位，但也有階段性機會。

📊 配置優先級：

· 確定性最強： $英飛凌科技(ADR) (IFNNY.US)$ ——全產業鏈來看下游功率半導體龍頭，中長期確定性最強

· 催化劑明確： $天岳先進 (02631.HK)$ ——受益全行業襯底需求，下半年產能供應是關鍵催化劑；目前產能供應是更關鍵的驅動，雖行業內卷仍激烈

· 彈性最強： $安森美半導體 (ON.US)$ ——碳化硅行業beta下彈性較強的標的

· 設備方向： $Tokyo Electron (8035.JP)$ （行業龍頭，高確定性）/ $維易科精密儀器 (VECO.US)$ （彈性更好）

⚠️ 估值提示：當前碳化硅產業鏈估值處於歷史高位，尤其是海外龍頭，建議等待短期回調後出現更好的介入機會。

估值對比

【投顧信息】

楊一 Tim Yang | SFC 中央編號：BUR210

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