存储「超级周期」深度解密：新高背后的3大硬核逻辑

存储涨疯了！2026年5月6日，韩国存储双雄SK海力士、三星电子续创历史新高；港股 $兆易创新 (03986.HK)$ 、 $澜起科技 (06809.HK)$ 也强势发力，上市以来一路猛冲；隔夜美股市场， $美光科技 (MU.US)$ 、 $闪迪 (SNDK.US)$ 、 $西部数据 (WDC.US)$ 等同样刷新历史高点。

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交银国际研究认为，当前全球存储芯片行业正经历本世纪以来最强劲的上行周期，周期强度高于此前几轮上行周期，上行周期至少将持续至2027年第一季度。行业经过长期整合后，供给端高度集中，叠加AI带来的结构性需求增量，使得本轮周期的持续性和强度均显著超越以往。

新高之后，存储还能不能继续关注？本文将详细拆解存储疯涨背后的逻辑：

一、史诗级供需错配，引发超级涨价周期

需求端：AI引爆结构性需求，Token消耗量揭示恐怖增量

本轮超级周期的根本驱动力，源于AI大模型技术的超预期迭代与商业化落地，这催生了指数级的数据存储、处理和检索需求。存储芯片，特别是HBM（高带宽内存）、高性能DRAM和企业级SSD，已从传统的数据仓库角色，转变为决定AI算力效率的关键「瓶颈」组件。单台AI服务器对DRAM和NAND的需求量可达传统服务器的数倍，直接开启了存储需求的超级周期。另外Token消耗的爆炸式增长，直接且实时地转化为对算力及背后存储资源的巨量消耗，彰显出底层需求的真实性与旺盛程度。

供给端：产能「三重挤压」与扩产「有心无力」，短期刚性凸显

与汹涌的需求形成鲜明对比的，是供给端在多方面制约下表现出的惊人「刚性」，短期产能释放面临多重阻碍。

经历了上一轮周期因过度扩产导致的严重亏损后，主要厂商在本轮上行周期中表现得极为克制。在有限的总产能下，原厂正将资源向高利润的HBM和DDR5产品线全力倾斜，这不可避免地对消费级及通用型存储芯片的产能造成了严重挤压。导致供需缺口从AI领域迅速蔓延至整个存储市场，引发全品类涨价。

多家市场机构预测，2026年存储价格整体将延续上涨趋势。此轮涨价已从最初的HBM、企业级SSD等高端产品，扩散至消费级DRAM和NAND Flash。据TrendForce等机构预估，第二季度DRAM合约价环比涨幅可能超过50%，NAND Flash涨幅更为显著。花旗报告更是指出，存储市场的紧张状况可能使涨价周期延续至2027年。

二、科技巨头烧钱如火如荼，龙头股「真金白银」盈利

全球科技巨头正在掀起一场前所未有的AI资本开支竞赛。Meta、谷歌、微软等全球科技巨头近期披露的业绩纷纷继续上调AI资本开支预期。美银证券预计2026年全球超大规模云计算商资本开支将超过8000亿美元。这些巨头为了争夺基础算力资源，纷纷与存储供应商签订长期合约，进一步锁定了有限的产能资源。

美股存储巨头 $闪迪 (SNDK.US)$ 已签订长协锁定至2027财年超33%的产能，获得超110亿美元财务担保与420亿美元最低合同收入，其数据中心业务环比暴增233%。

三星电子一季度营业利润同比增长474.3%，单季销售额首次突破130万亿韩元大关，同比增长68%；营业利润约57.2万亿韩元，同比暴增755%。

SK海力士同期单季净利润同比增长398%，达到40.33万亿韩元，大超分析师预期的29.39万亿韩元。第一季度DRAM平均销售价格较去年第四季度大幅上涨约60%；一季度NAND平均销售价格较去年第四季度大幅上涨约70%。

三、存储股利润爆发，估值却「原地踏步」

尽管业绩呈现爆发式增长，存储股的估值却相对较低，形成了显著的估值剪刀差。截至2026年4月，三星电子与SK海力士的12个月预期市盈率仍仅为6.0倍与5.2倍，在全球AI相关标的中盈利性价比突出。美国存储芯片制造商 $美光科技 (MU.US)$ 以及 $铠侠 (285A.JP)$ 的远期市盈率也均低于10倍。相比之下，台积电约为20倍，英伟达约为22倍。

这一显著落差正在华尔街引发激烈辩论，多头认为，AI对存储的需求已从高带宽内存蔓延至DRAM、闪存等通用产品，供应短缺与价格飙升并存，存储行业正在进入结构性新范式。空头则坚持认为，存储盈利历来随经济周期大幅波动，低估值是对这一历史规律的合理定价，市场需要更多证据才会给予更高溢价。

从「超级周期」看全产业链投资图谱

正如此前文章《定价权大反转！存储迎「一辈子仅一次」超级周期，谁在狂揽AI红利？》分析，这波存储浪潮并非只惠及少数几家原厂，从底层的晶圆制造、中游的封装测试与设备，到下游的模组、主控芯片及系统解决方案，每一个环节都在本轮周期中扮演着不可或缺的角色，并孕育着独特的投资机会。

1. 上游晶圆制造：涨价最直接的「受益人」

这是本轮超级周期中弹性最大、最核心的环节。存储晶圆（DRAM、HBM、NAND）的量价齐升，直接转化为原厂的丰厚利润。 $南方两倍做多海力士 (07709.HK)$ 、 $南方两倍做多三星电子 (07747.HK)$ 、 $美光科技 (MU.US)$ 、 $闪迪 (SNDK.US)$ 、 $希捷科技 (STX.US)$ 、 $西部数据 (WDC.US)$

2. 中游封测与设备：扩产背后的「隐形赢家」

虽然晶圆厂扩产谨慎，但HBM等高阶产品的良率爬坡和结构升级，带动了封测和设备环节的显著增量。 $泛林集团 (LRCX.US)$ 、 $应用材料 (AMAT.US)$

3. 下游设计与系统：连接芯片与应用的「桥梁」

存储芯片最终要转化为可用的产品和系统，这一环节的公司通过掌握核心IP或控制器技术，在产业链中占据关键生态位。 $Rambus (RMBS.US)$ 、 $慧荣科技 (SIMO.US)$ 、 $迈威尔科技 (MRVL.US)$

4. 系统解决方案：存储价值的「最终兑现者」

在数据爆炸的时代，单纯的存储硬件已无法满足需求，企业级存储系统和软件定义存储成为新的增长点。 $美国网存 (NTAP.US)$ 、 $PURE BIOSCIENCE (PURE.US)$

存储股「武器库」：除了正股，哪些ETF有望受惠？

在AI驱动的存储芯片「超级周期」中，直接投资三星、SK海力士、美光等龙头个股固然能获得最大弹性，但也伴随着较高的个股风险和研究门槛。对于希望把握行业贝塔收益、同时分散风险的投资者而言，ETF提供了高效且多元化的“投资武器库”。

$Roundhill Memory ETF (DRAM.US)$ ：全球首只「纯存储」ETF，严格筛选主营业务收入50%以上来自HBM、DRAM或NAND的公司，截至2026年5月初，其前三大重仓股为SK海力士、美光科技和三星电子，三者合计权重接近70%。自上市以来，该ETF规模迅速增长，截至5月初已超过30亿美元，年内至今升幅超80%。

$韩国ETF-iShares MSCI (EWY.US)$ ：通过韩国大盘间接重仓存储双雄，三星电子和SK海力士在MSCI韩国25/50指数中占据绝对主导地位，两者在EWY中的合计权重常年在40%以上。除了存储双雄，其前十大持仓还包括现代汽车、SK Square、韩华航空航天等，享受韩国其他支柱产业的增长。

$3倍做多韩国ETF-Direxion (KORU.US)$ ：3倍杠杆押注「韩国=存储」，在韩国市场（主要由三星、海力士驱动）出现明确、强劲的短期上涨趋势时，KORU能带来极为可观的回报，年初至今升幅超362%。但需关注波动率损耗，在震荡市中会快速侵蚀本金。

$半导体指数ETF-VanEck (SMH.US)$ ：一站式投资全球半导体生态，不单独押注存储，而是全面覆盖半导体设计、制造、设备全产业链的全球龙头公司，捕捉半导体行业整体的成长红利。